強誘電体薄膜素子の製造方法、強誘電体薄膜素子、及び強誘電体メモリ素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996145425
Publication number (International publication number)：1997321234
Application date： Jun. 07, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は、成膜温度の低温化、リーク電流の低減が可能な強誘電体薄膜素子の製造方法、強誘電体薄膜素子、及び強誘電体メモリ素子を提供することを目的としている。【解決手段】基板上に下部電極層4と強誘電体薄膜5と上部電極層6とを順番に備える強誘電体薄膜素子の製造方法において、基板上に形成された下部電極層4上に物理的蒸着法又は化学的蒸着法により強誘電体薄膜5と成る酸化物薄膜を形成し、その酸化物薄膜上に上部電極層6を形成した後に、1気圧より低いガス圧力雰囲気中にて加熱して強誘電体薄膜5を形成する熱処理工程を施す。

Claim (excerpt)：

基板上に下部電極層と強誘電体薄膜と上部電極層とを順番に備える強誘電体薄膜素子の製造方法において、基板上に形成された前記下部電極層上に物理的蒸着法又は化学的蒸着法により強誘電体薄膜と成る酸化物薄膜を形成し、該酸化物薄膜上に上部電極層を形成した後に、1気圧より低いガス圧力雰囲気中にて加熱して強誘電体薄膜を形成する熱処理工程を施すことを特徴とする強誘電体薄膜素子の製造方法。

IPC (13)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 37/02 , H01L 41/09 , H01L 41/18 , H01L 41/22 , H01L 21/316

FI (9)：

H01L 27/10 451 , H01L 37/02 , H01L 21/316 X , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371 , H01L 41/08 C , H01L 41/18 101 Z , H01L 41/22 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

強誘電体メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-254378 Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-220221 Applicant：セイコーエプソン株式会社
強誘電体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-054007 Applicant：オリンパス光学工業株式会社

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