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J-GLOBAL ID：200903081523415811

半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置

Inventor： 山崎 舜平 ,  坂間 光範 ,  深田 武
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995256969
Publication number (International publication number)：1997082705
Application date： Sep. 08, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【目的】 有機シランを用いた成膜において、成膜された炭素の含有量を減少させ、半導体の特性の向上と信頼性を向上させる。【構成】 半導体装置の製造において、各種絶縁膜を有機シランを用いて成膜する際に、その成膜中に水素ラジカルや水素イオンを添加することで成膜中の炭素を、CHX やCOHのごときガスにして、成膜中の炭素を減少させる。

Claim (excerpt)：

プラズマCVD法または常圧CVD法によって有機シラン系のソースと、酸素あるいは酸素から形成したオゾンなどのソース、を少なくとも含んだ気体を用いて加熱した基板に酸化膜を成膜する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記酸化膜の成膜中に水素を添加して、前記水素を水素ラジカルとなして酸化膜を成膜する、または、前記酸化膜を成膜する工程中に、水素を水素ラジカルとなしてから添加して酸化膜を成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/31 C ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 627 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 酸化ケイ素薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-041758   Applicant：株式会社ジーティシー