化合物半導体素子及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高野昌俊
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004047366
Publication number (International publication number)：2004282049
Application date： Feb. 24, 2004
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：

【課題】 HBTの電流増幅率が大きく、且つそのIcドリフト依存性の小さいHBTを得ること。【解決手段】 V/III比を3.3〜40の範囲内とし、Cをドーパントとしてp型のGaAs層をMOCVD気相成長させて熱安定性の良好なHBTベース層43を形成する。これによりCとHとの結合様式C2-Hがない状態となる。その後熱処理によってベース層43内に取り込まれたHを除去し、これにより、電流増幅率βが大きく、且つそのIcドリフト依存性の小さいHBTを得る。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上にサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層及びエミッタ層が気相成長によりこの順序で薄膜結晶層として形成されて成るヘテロ接合バイポーラトランジスタを含む化合物半導体素子において、前ベース層が、ドーパントとしてCを含むp型化合物半導体薄膜であり、室温における赤外吸収測定においてHとCとの結合様式C2-Hのピークが検出されないことを特徴とする化合物半導体素子。

IPC (3)：

H01L21/331 , H01L29/732 , H01L29/737

FI (2)：

H01L29/72 H , H01L29/72 P

F-Term (9)：

5F003AP06 , 5F003BA92 , 5F003BB08 , 5F003BC08 , 5F003BE02 , 5F003BF06 , 5F003BM03 , 5F003BP32 , 5F003BP95

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特開平3-110829号公報

Cited by examiner (2)

非晶質光半導体及びその製造方法並びに光半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-295449 Applicant：富士ゼロックス株式会社
化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-210869 Applicant：住友化学工業株式会社

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