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J-GLOBAL ID：200903090593229372
化合物半導体の製造方法
Inventor：
,
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998210869
Publication number (International publication number)：2000049094
Application date： Jul. 27, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：
【要約】【課題】成長時のエッチング量が比較的小さく、かつ大型のMOVPE装置でも高濃度に炭素を添加できる化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】炭素を添加したp型半導体エピタキシャル層を少なくとも1層有する化合物半導体を、有機金属気相成長法により製造する方法において、該p型半導体エピタキシャル層に添加する炭素の炭素源として一臭化三塩化炭素を用いる化合物半導体の製造方法。
Claim (excerpt)：
炭素を添加したp型半導体エピタキシャル層を少なくとも1層有する化合物半導体を、有機金属気相成長法により製造する方法において、該p型半導体エピタキシャル層に添加する炭素の炭素源として一臭化三塩化炭素を用いることを特徴とする化合物半導体の製造方法。
F-Term (14)：
5F045AA04
, 5F045AB10
, 5F045AB17
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AC19
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045BB01
, 5F045BB04
, 5F045CA02
, 5F045DA53
, 5F045GB12
, 5F045GB13
Cited by examiner (3)
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化合物半導体用不純物原料
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-178006
Applicant：ソニー株式会社
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特公昭44-013123
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化合物半導体気相成長方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-266624
Applicant：日立電線株式会社
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