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J-GLOBAL ID：200903081565701164

中性粒子ビーム処理装置

Inventor： 一木 克則 ,  山内 和雄 ,  桧山 浩国 ,  寒川 誠二
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所
Agent (1)： 渡邉 勇 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001088866
Publication number (International publication number)：2002289399
Application date： Mar. 26, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：

【要約】【課題】 安価且つコンパクトな構成で大口径のビームを被処理物に照射することができると共に高い中性化率を得ることができ、チャージフリー且つダメージフリーな中性粒子ビーム処理装置を提供する。【解決手段】 被処理物Xを保持する保持部20と、真空チャンバ3内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、被処理物Xとプラズマ生成部との間に配置されたオリフィス電極5と、グリッド電極4と、誘電体を介してオリフィス電極5とグリッド電極4との間に電圧を印加することで、生成されたプラズマから正イオン6を引き出してオリフィス電極5に形成されたオリフィス5aを通過させる交流電源100とを備えた。

Claim (excerpt)：

被処理物を保持する保持部と、真空チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記被処理物と前記プラズマ生成部との間に配置されたオリフィス電極と、前記真空チャンバ内に前記オリフィス電極に対して上流側に配置されたグリッド電極と、誘電体を介して前記オリフィス電極と前記グリッド電極との間に電圧を印加することで、前記プラズマ生成部により生成されたプラズマから正イオンを引き出して前記オリフィス電極に形成されたオリフィスを通過させる電圧印加部とを備えたことを特徴とする中性粒子ビーム処理装置。

IPC (6)：

H05H 3/00 ,  C23C 14/32 ,  G21K 1/14 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (7)：

H05H 3/00 ,  C23C 14/32 F ,  G21K 1/14 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 L ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 B

F-Term (28)：

2G085AA20 ,  2G085BA20 ,  2G085BB20 ,  2G085CA30 ,  4K029DE00 ,  4K029DE01 ,  4K029DE02 ,  5F004AA06 ,  5F004BA11 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045BB16 ,  5F045EF05 ,  5F045EH04 ,  5F045EH06 ,  5F045EH11 ,  5F045EH20