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J-GLOBAL ID：200903081566593420

面発光半導体レーザ

Inventor： 大坪 孝二
Applicant, Patent owner： 技術研究組合新情報処理開発機構 ,  富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995166726
Publication number (International publication number)：1997018083
Application date： Jul. 03, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：

【要約】【目的】 面発光半導体レーザに関し、構成要素となる半導体材料の選択の自由度を広げることを目的とする。【構成】 一導電型基板と、屈折率の異なる2種類の一導電型半導体膜から成りレーザ光を反射させる一導電型反射鏡層と、一導電型半導体膜から成る第1のクラッド層と、レーザ光を発生させる活性層と、反対導電型半導体膜から成る第2のクラッド層で構成される共振器と、屈折率の異なる2種類の反対導電型半導体膜から成りレーザ光を反射させる反対導電型反射鏡層を積層して成る面発光半導体レーザにおいて、一導電型基板、一導電型反射鏡層、共振器及び反対導電型反射鏡層のうち、格子不整合の生じる基板と層の間、あるいは層と層の間に、半導体の組成がグレーデッドに変化するグレーデッド層を形成する。

Claim (excerpt)：

一導電型基板と、屈折率の異なる2種類の一導電型半導体膜から成りレーザ光を反射させる一導電型反射鏡層と、一導電型半導体膜から成る第1のクラッド層と、レーザ光を発生させる活性層と、反対導電型半導体膜から成る第2のクラッド層で構成される共振器と、屈折率の異なる2種類の反対導電型半導体膜から成りレーザ光を反射させる反対導電型反射鏡層を積層して成る面発光半導体レーザにおいて、一導電型基板、一導電型反射鏡層、共振器及び反対導電型反射鏡層のうち、格子不整合の生じる基板と層の間、あるいは層と層の間に、半導体の組成がグレーデッドに変化するグレーデッド層が形成されていることを特徴とする面発光半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 面発光半導体レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-215233   Applicant：富士通株式会社
• 波長可変面発光レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-339080   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭61-096726