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J-GLOBAL ID：200903081594073539

Bi系超電導欠陥補修用組成物及びそれを用いるBi系超電導欠陥補修方法

Inventor： 酒井 均 ,  小田 敏夫 ,  吉田 均 ,  川江 孝行 ,  小川 尚之
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社
Agent (1)： 渡邉 一平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993031969
Publication number (International publication number)：1993294630
Application date： Feb. 22, 1993
Publication date： Nov. 09, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 Bi系超電導体の欠陥部分を欠陥部分周辺領域の超電導相と超電導的に接合して、該欠陥部分を補修・修復されたBi系超電導体の提供。特に、工業的実用性の高い大型のBi系超電導体における欠陥を補修し、微弱な磁気測定の可能な極低磁場空間を可能とするBi系超電導体の提供。【構成】 Bi系超電導相を形成するように構成された原料組成物に、少なくともAg成分及び/またはLi成分からなる添加剤を含有してなり、該原料組成物から超電導相を形成するための部分溶融温度より、少なくとも約5°C降下した溶融温度を有することを特徴とするBi系超電導欠陥補修用組成物。

Claim (excerpt)：

Bi系超電導相を形成するように構成された原料組成物に、少なくともAg成分及び/またはLi成分からなる添加剤を含有してなり、該原料組成物から超電導相を形成するための部分溶融温度より、少なくとも約5°C降下した溶融温度を有することを特徴とするBi系超電導欠陥補修用組成物。

IPC (5)：

C01G 29/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• ピボットヒンジ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-077272   Applicant：日本ドアーチエック製造株式会社
• 特開平4-104970
  
• ビスマス系酸化物超電導体厚板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-246259   Applicant：古河電気工業株式会社
• 特開平4-065341
  
• 特開平3-192615