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J-GLOBAL ID：200903081774303087

基板試験方法及び装置

Inventor：
▲廣▼沼 昌之

About ▲廣▼沼 昌之


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (2)： 北野 好人 ,  三村 治彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005180379
Publication number (International publication number)：2007005348
Application date： Jun. 21, 2005
Publication date： Jan. 11, 2007
Summary：
【課題】設備投資の大きな増大を招くことなく、高温測定から低温測定への切り換えを効率的に行うことができる基板試験方法及び装置を提供する。【解決手段】測定ステージ10に被試験基板8を載置して高温で試験を行い、測定ステージ10から被試験基板8を取り外し、測定ステージ10に、測定ステージ10よりも熱伝導率の低い材料からなる補助ステージ40を装着し、補助ステージ40に被試験基板8を載置して低温で試験を行う。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
測定ステージに被試験基板を載置して第1の温度で試験を行うステップと、 前記測定ステージから前記被試験基板を取り外すステップと、 前記測定ステージに、前記測定ステージよりも熱伝導率の低い材料からなる補助ステージを装着するステップと、 前記補助ステージに前記被試験基板を載置して前記第1の温度よりも低い第2の温度で試験を行うステップと を有することを特徴とする基板試験方法。
IPC (2)：
H01L 21/66 ,  G01R 31/26
FI (3)：
H01L21/66 D ,  H01L21/66 B ,  G01R31/26 H
F-Term (18)：
2G003AA10 ,  2G003AC03 ,  2G003AC04 ,  2G003AD01 ,  2G003AG00 ,  2G003AG04 ,  2G003AH00 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA01 ,  4M106CA01 ,  4M106CA31 ,  4M106DD10 ,  4M106DH44 ,  4M106DH45 ,  4M106DH46 ,  4M106DJ02 ,  4M106DJ32
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 検査装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-170144   Applicant：東京エレクトロン山梨株式会社
  • 特公平6-087475号公報
Cited by examiner (2)
  • エージング装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-017403   Applicant：日本電気株式会社
  • 半導体ウェハの加熱/冷却装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-078207   Applicant：日本発条株式会社

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