不揮発性半導体記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994294865
Publication number (International publication number)：1996153811
Application date： Nov. 29, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】不揮発性半導体記憶装置のメモリセルの微細化あるいは、その動作電圧の低電圧化および低消費電力化を容易にする。【構成】メモリセルを構成する浮遊ゲート型トランジスタにおいて、浮遊ゲート電極が2層構造に形成され、第1の浮遊ゲート電極の設けられている層と第2の浮遊ゲート電極の設けられている層との中間に位置する層に、第1の浮遊ゲート電極および第2の浮遊ゲート電極とは電気絶縁された第1の配線が配設され、更に制御ゲート電極が第2の配線として配設され、第1の配線がメモリセルのビット線であり、第2の配線がメモリセルのワード線4、4a、4bとなるように構成される。

Claim (excerpt)：

メモリセルを構成する浮遊ゲート型トランジスタにおいて、半導体基板上に第1のゲート絶縁膜を介して設けられた第1の浮遊ゲート電極と、前記第1の浮遊ゲート電極上に層間絶縁膜を介して設けられた第2の浮遊ゲート電極とを有し、前記第1の浮遊ゲート電極と前記第2の浮遊ゲート電極とは前記層間絶縁膜に形成されたコンタクト孔を通して電気接続され、前記第2の浮遊ゲート電極上に第2のゲート絶縁膜を介して制御ゲート電極が形成されていることを特徴とした不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭63-142869
特開昭62-205665
特開平2-035781

Show all

Return to Previous Page