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J-GLOBAL ID：200903081825556325

半導体装置

Inventor： 今井 仁
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992233486
Publication number (International publication number)：1994085192
Application date： Sep. 01, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 メモリーセルの面積をより縮小する。【構成】 1トランジスタ、1キャパシタのメモリーセルを有する半導体装置において、キャパシタ上にリング状のトランジスタ電極1を形成する。

Claim (excerpt)：

1トランジスタ及び1キャパシタのメモリーセルを有する半導体装置において、キャパシタ上に形成された環状のトランジスタ電極を備えたことを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-089361
  
• 特開昭61-259564
  
• 半導体メモリセル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-303774   Applicant：沖電気工業株式会社