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J-GLOBAL ID：200903081833616310

半導体装置

Inventor： 大野 泰夫 ,  羽山 信幸 ,  笠原 健資 ,  中山 達峰 ,  宮本 広信 ,  高橋 裕之 ,  安藤 裕二 ,  松永 高治 ,  葛原 正明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000265783
Publication number (International publication number)：2002076329
Application date： Sep. 01, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】III族窒化物半導体素子において、生産性、放熱特性および素子の高速動作性を改善すること。【解決手段】A面((11-20)面)を主面とするサファイア基板上にIII族窒化物半導体からなるエピタキシャル成長層を形成し、その上にゲート電極16、ソース電極15およびドレイン電極17を形成する。これらの電極の延在方向を、サファイアC軸に対して20 ゚以内の角度となるように配置する。

Claim (excerpt)：

単結晶サファイア基板上に形成されたIII族窒化物半導体層と、前記III族窒化物半導体層の表面に離間して形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成されたゲート電極と、を有する半導体装置であって、前記III族窒化物半導体層は、前記単結晶サファイア基板のA面上に形成され、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極は、前記単結晶サファイア基板のC軸となす角が20度以内の方向に延在して形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/201

FI (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/203 ,  H01L 29/80 B

F-Term (26)：

5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA06 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F102FA00 ,  5F102FA04 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GV03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 窒化物系III-V族化合物半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-248709   Applicant：ソニー株式会社
• 絶縁性窒化物層及びその形成方法、半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-241581   Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (2)

• 窒化物系III-V族化合物半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-248709   Applicant：ソニー株式会社
• 絶縁性窒化物層及びその形成方法、半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-241581   Applicant：ソニー株式会社