窒化物系III-V族化合物半導体装置とその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998248709
Publication number (International publication number)：2000082671
Application date： Sep. 02, 1998
Publication date： Mar. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】窒化系物III-V族化合物半導体層が成膜される半導体装置において、結晶性にすぐれた窒化系物III-V族化合物半導体層を得ることができるようにすし、電気的特性にすぐれ、長寿命化を図ることができ、更に設計の自由度を高めることのできる半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板2上に、GaN層を含むエピタキシャル成長半導体層4が形成されてなる窒化物系III-V族化合物半導体装置であって、そのGaN層の格子定数aが、少なくとも0.3183nm以下となる構成として、結晶性にすぐれた窒化物系III-V族化合物半導体層を得ることができるようにする。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上に、少なくともGaN層を含むエピタキシャル成長半導体層が形成されてなる窒化物系III-V族化合物半導体装置であって、上記GaN層の格子定数aが、0.3183nm以下に形成されて成ることを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01S 3/00 , H01S 3/02 , H01S 5/30

FI (5)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01S 3/00 , H01S 3/18 , H01S 3/02

F-Term (44)：

5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC18 , 5F045AD09 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AE30 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB07 , 5F045BB12 , 5F045CA07 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA61 , 5F045EB15 , 5F045EE12 , 5F045HA16 , 5F052AA18 , 5F052CA01 , 5F052DA04 , 5F052DB01 , 5F052EA11 , 5F052HA08 , 5F052JA10 , 5F052KA02 , 5F072AB13 , 5F072AK04 , 5F072JJ03 , 5F072RR05 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB01 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-221249 Applicant：ゼロックスコーポレイション
窒化ガリウム系半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-066110 Applicant：松下電器産業株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-261598 Applicant：株式会社日立製作所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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