金属膜のパターン形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995125119
Publication number (International publication number)：1996321486
Application date： May. 24, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】リフトオフが容易な金属膜パターンの形成方法を提供する。【構成】フォトレジスト膜12の膜厚を金属膜13の膜厚の2倍以上とし、また被処理基板3の表面の最高到達温度を100°C〜150°Cとした。【効果】フォトレジスト膜を適度に改質させ、下地への焼き付きを生ぜずリフトオフが容易となる。

Claim (excerpt)：

半導体基体上に順次電極パッド、表面保護膜、フォトレジスト膜が積層された被処理基板に対して、プラズマ照射処理を行い、金属膜を積層し、リフトオフ処理を行なう金属膜のパターン形成方法において、前記フォトレジスト膜の厚さを前記金属膜の厚さの2倍以上としたことを特徴とする金属膜のパターン形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , H01L 21/28 , H01L 21/027 , H01L 21/321

FI (7)：

H01L 21/302 K , H01L 21/28 G , H01L 21/30 570 , H01L 21/30 571 , H01L 21/302 N , H01L 21/92 604 P , H01L 21/92 604 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

導電層成膜の前処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-261854 Applicant：ソニー株式会社
特開平4-264732
特開昭55-070028

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