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J-GLOBAL ID：200903081834000909
金属膜のパターン形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995125119
Publication number (International publication number)：1996321486
Application date： May. 24, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：
【要約】【目的】 リフトオフが容易な金属膜パターンの形成方法を提供する。【構成】 フォトレジスト膜12の膜厚を金属膜13の膜厚の2倍以上とし、また被処理基板3の表面の最高到達温度を100°C〜150°Cとした。【効果】 フォトレジスト膜を適度に改質させ、下地への焼き付きを生ぜずリフトオフが容易となる。
Claim (excerpt)：
半導体基体上に順次電極パッド、表面保護膜、フォトレジスト膜が積層された被処理基板に対して、プラズマ照射処理を行い、金属膜を積層し、リフトオフ処理を行なう金属膜のパターン形成方法において、前記フォトレジスト膜の厚さを前記金属膜の厚さの2倍以上としたことを特徴とする金属膜のパターン形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/3065
, H01L 21/28
, H01L 21/027
, H01L 21/321
H01L 21/302 K
, H01L 21/28 G
, H01L 21/30 570
, H01L 21/30 571
, H01L 21/302 N
, H01L 21/92 604 P
, H01L 21/92 604 S
Cited by examiner (9)
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