InGaN層を有する半導体ウエハ及びその製造方法並びにそれを具備する発光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：絹谷信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996107956
Publication number (International publication number)：1997293678
Application date： Apr. 26, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】青色発光素子に有用な、結晶性の良いInGaN層を有する半導体ウエハと、その半導体ウエハを気相成長法で簡便かつ再現性良く成長させることのできる製造方法を提供する。【解決手段】 InGaN層13を液滴ができない程度の低温で成長させ、そのままではアモルファス状である結晶構造を、InGaN層13の成長終了後、その成長温度よりも高い温度で熱処理することにより、下地の結晶層11と結晶方位が揃うようにInGaN層13を固相成長させる。

Claim (excerpt)：

Ga<SB>1-a </SB>Al<SB>a </SB>N(0≦a<1)層上にIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0<x<0.5)層を積層したInGaN層を有する半導体ウエハにおいて、上記InGaN層を、その全部又は一部がアモルファス状の結晶構造からなるように900°C以下の低温で成長させた後、その成長温度よりも高い温度で熱処理して、上記アモルファス状の結晶構造部分を、固相成長により再結晶化させたことを特徴とするInGaN層を有する半導体ウエハ。

IPC (3)：

H01L 21/20 , H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 21/20 , H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-341880 Applicant：シャープ株式会社

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