Pat
J-GLOBAL ID：200903022119562707

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
湯浅 貴之

About 湯浅 貴之

, 
猪口 和彦

About 猪口 和彦


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995341880
Publication number (International publication number)：1997186403
Application date： Dec. 27, 1995
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：
【要約】【課題】 Inを含む化合物半導体膜と、Inを含まない化合物半導体膜とのへテロ構造を有し、ヘテロ接合界面での変質や転位等が少なく、特性の良好な半導体発光素子101を得る。【解決手段】 半導体積層構造101aを構成する、InGaNからなる第1の化合物半導体層12,14と、AlGaNまたはGaNからなる第2の化合物半導体層13とを、有機ラジカルによるアシストを利用して成長した構造とした。
Claim (excerpt)：
Ga、Al、及びInのうち所要のものと窒素との化合物からなる複数種類の半導体層を有する半導体発光素子であって、該半導体層として、InGaNからなる第1の化合物半導体層と、AlGaNまたはGaNからなる第2の化合物半導体層とを含む半導体積層構造を備え、該第1及び第2の化合物半導体層は、有機金属をIII族原料とし、NH3をV族原料とし、熱により分解してラジカル状態になる有機原料を有機ラジカル源とする有機金属気相成長処理により形成してなるものである半導体発光素子。
IPC (5)：
H01S 3/18 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (5)：
H01S 3/18 ,  C30B 25/02 Z ,  C30B 29/38 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
Show all
Cited by examiner (5)
  • 結晶成長方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-039444   Applicant：株式会社日立製作所
  • III族窒化物発光素子の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-057545   Applicant：パイオニア株式会社, 天野浩, 赤崎勇, 豊田合成株式会社
  • 3-5族化合物半導体と発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-070621   Applicant：住友化学工業株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM