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J-GLOBAL ID：200903081868066631

パターン形成方法およびこれに用いるネガ型ホトレジスト組成物

Inventor：
羽田 英夫

About 羽田 英夫

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小野寺 純一

About 小野寺 純一

, 
駒野 博司

About 駒野 博司


Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

About 東京応化工業株式会社


Agent (1)： 長谷川 洋子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997093073
Publication number (International publication number)：1998274853
Application date： Mar. 27, 1997
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 特に、液晶パネル等の10μmライン/10μmスペース前後の微細なパターンが要求されるパターン形成において、再現性に優れ、断線、短絡等の生じないパターンの形成方法、および該パターン形成に適用される、基板との密着性に優れ、耐めっき性の良好な無電解めっき用ネガ型ホトレジスト組成物を提供する。【解決手段】 チオ尿素、メルカプトベンゾチアゾールなどの含硫黄有機化合物を1種または2種以上含有するネガ型ホトレジスト組成物を基板上に塗布、乾燥した後、マスクパターン3を介して選択的に露光し、次いで現像し未露光部分を除去することによってホトレジストパターン4を形成した後、無電解めっき処理により導電パターン5を形成する。
Claim (excerpt)：
チオ尿素、チオフェン、チアゾール、チオナリド、ジフェニルカルバジド、チアゾリン、テトラメチルチオ尿素、メルカプトベンゾチアゾール、メルカプトベンゾトリアゾール、ジベンゾチアジルジスルフィド、N-tert-ブチル-2-ベンゾチアゾリルスルフェンアミド、およびテトラメチルチウラムジスルフィドの中から選ばれる1種または2種以上の含硫黄有機化合物を含有するネガ型ホトレジスト組成物を基板上に塗布、乾燥した後、マスクパターンを介して選択的に露光し、次いで現像し未露光部分を除去することによってホトレジストパターンを形成する、ホトレジストパターンの形成方法。
IPC (5)：
G03F 7/085 ,  G02F 1/1343 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 601
FI (5)：
G03F 7/085 ,  G02F 1/1343 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/038 601
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (18)
  • 感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性エレメント
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-154912   Applicant：日立化成工業株式会社
  • 感光性樹脂組成物
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-287164   Applicant：日本合成ゴム株式会社
  • 特開平4-104157
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