ナノワイヤー又はナノドット及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003282093
Publication number (International publication number)：2005046955
Application date： Jul. 29, 2003
Publication date： Feb. 24, 2005
Summary：

【課題】本発明は、従来不可能であった直径が1〜10nm、長さが50nm以上の半導体材料及び金属材料からなるナノワイヤ-もしくは、直径10nm以下のナノドットの作製をナノチップの電極反応を利用して可能とすることを目的とする。【解決手段】本発明のナノワイヤー又はナノドット製造方法は、ナノチップ及び、表面に酸化被膜が形成された半導体材料及び金属材料でできた原料側部材よりなり、ナノチップと原料側部材の間に前記酸化被膜が破壊される大きさの電圧を印加しながら、前記ナノチップを前記原料側部材に接触させた後に引き離すことにより直径が1〜10nmのナノワイヤー又は直径10nm以下のナノドットを作製することを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ナノチップ及び表面に酸化被膜が形成された半導体材料及び金属材料でできた原料側部材よりなり、ナノチップと原料側部材との間に、前記酸化被膜が破壊される大きさの電圧を印加しながら、前記ナノチップを前記原料側部材に接触させた後に引き離すことにより、直径が1〜10nmのナノワイヤー又は直径10nm以下のナノドットを作製することを特徴とするナノワイヤー又はナノドット製造方法。

IPC (2)：

B82B3/00 , B22F9/02

FI (2)：

B82B3/00 , B22F9/02 Z

F-Term (4)：

4K017AA03 , 4K017CA04 , 4K017CA08 , 4K017EF10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

金属ナノワイヤー及び金属ナノパーティクル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-259414 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 富田製薬株式会社
単原子ワイヤー製造方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-028718 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

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