ゲート絶縁膜の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994128441
Publication number (International publication number)：1995335876
Application date： Jun. 10, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 SiO2と同等の界面準位密度と、SiO2より優れた信頼性を有するゲート絶縁膜の形成方法を提供する。【構成】シリコン基板1表面にゲート絶縁膜3を形成し、このゲート絶縁膜3に対して、まずN2Oを用いた熱酸窒化を行った後、O2により再酸化を行う。これにより、SiON/Si界面近傍のみ低窒素濃度領域を有するSiONを形成することが可能となり、界面準位密度が低くSiO2と同等の電子移動度を持ちながら、初期絶縁耐圧(TZDB)、絶縁破壊電荷量(QBD)、ホットエレクトロン耐性がSiO2より優れたゲート絶縁膜を得ることが可能となる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に酸化膜を形成した後、少なくとも窒素と酸素とを含む反応性ガス雰囲気中で第一の熱処理を行い、その後、少なくとも酸素を含み、且つ反応性の窒素の組成比が10%以下である反応性ガス中で第二の熱処理を行うことを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/316 , H01L 21/318

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開平4-196587
特開平1-248561
半導体装置の製法及び半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-249893 Applicant：ソニー株式会社

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