放射線検出素子とその製造方法、及び放射線検出器

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993200205
Publication number (International publication number)：1995038132
Application date： Jul. 21, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明はCdTe結晶を用いた新規な放射線検出素子とその製造方法、およびこれを用いた高感度の放射線検出器の提供を目的とする。【構成】比抵抗が107〜5×109オーム/cmの放射線検出素子用CdTe結晶の表面と裏面とに金属層を設け、これを機械的手段により切断して全側面を比抵抗1010オーム/cm以上の超高抵抗層で覆った放射線検出素子を得、これを相互に接するように1次元あるいは2次元に配置する。【効果】従来より高性能の2次元集積型放射線検出器を低コストで製造可能となる。

Claim (excerpt)：

比抵抗が107〜5×109オーム/cmの放射線検出素子用CdTe結晶において、その表面と裏面とに金属層が設けられ、その全側面に比抵抗1010オーム/cm以上の超高抵抗層が設けられたことを特徴とする放射線検出素子。

IPC (3)：

H01L 31/09 , G01T 1/24 , H01L 27/14

FI (2)：

H01L 31/00 A , H01L 27/14 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体放射線検出器およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-072764 Applicant：株式会社ジャパンエナジー

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