π共役系高分子構造体およびこれを用いた電子素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：小川勝男 , 田中恭助 , 佐々木孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003064538
Publication number (International publication number)：2004273881
Application date： Mar. 11, 2003
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：

【課題】従来の有機FETに比べ大幅に移動度を向上させたFETを提供する。【解決手段】末端に特定の金属と選択的に結合する作用基が結合し、シクロデキストリンからなる分子ナノチューブに内包されたことにより剛直性を持った導電性高分子が、単体でソース・ドレイン電極間を直接接続する構造が1本もしくは複数本でチャネル部を構成するようなFETを提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

特定の物質と選択的に結合する機能を持つ作用基を一端もしくは両端に有するπ共役系高分子構造体。

IPC (7)：

H01L51/00 , C08G61/12 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/786 , H05B33/14

FI (6)：

H01L29/28 , C08G61/12 , H01L29/06 601N , H05B33/14 A , H01L29/78 301Z , H01L29/78 618B

F-Term (44)：

3K007CA06 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 4J032BA03 , 4J032BA04 , 4J032BB01 , 4J032BB06 , 4J032BC02 , 4J032CA03 , 4J032CA62 , 4J032CB01 , 4J032CC01 , 4J032CD02 , 4J032CE03 , 5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110EE03 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG19 , 5F110GG28 , 5F110GG35 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK21 , 5F140BA18 , 5F140BB19 , 5F140BC11 , 5F140BD05 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BG30 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ11 , 5F140BJ13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

トランジスタおよびそれを用いた表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-369218 Applicant：シャープ株式会社
特開平1-193640

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