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J-GLOBAL ID:200903082128367472

配線基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998082178
Publication number (International publication number):1999284298
Application date: Mar. 27, 1998
Publication date: Oct. 15, 1999
Summary:
【要約】【課題】 配線基板のメタライズ配線層に電子部品の電極等を強固に半田付けできない。【解決手段】 絶縁基体1上にメタライズ配線層2を有する配線基板において、メタライズ配線層2の表面にコバルトの含有量が1重量%以下のニッケルまたはニッケル-コバルト合金から成る第1の下地めっき金属層3aと、コバルトの含有量が2〜60重量%のニッケル-コバルト合金から成る第2の下地めっき金属層3bと、金を主成分とする表面めっき金属層4とを順次被着させた配線基板である。表面めっき金属層の耐食性および半田濡れ性が低下しなくなるとともに、半田付けの際に下地めっき金属層の半田中への拡散吸収が防止でき、メタライズ配線層に電子部品の電極等を強固に半田付けすることができる。
Claim (excerpt):
絶縁基体上にメタライズ配線層を有する配線基板において、前記メタライズ配線層の表面にコバルトの含有量が1重量%以下のニッケルまたはニッケル-コバルト合金から成る第1の下地めっき金属層と、コバルトの含有量が2〜60重量%のニッケル-コバルト合金から成る第2の下地めっき金属層と、金を主成分とする表面めっき金属層とを順次被着させたことを特徴とする配線基板。
IPC (3):
H05K 1/09 ,  H05K 3/24 ,  H05K 3/34 501
FI (3):
H05K 1/09 C ,  H05K 3/24 A ,  H05K 3/34 501 F
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開昭64-057628
  • 特公昭60-013078
  • 特開平3-252383
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