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J-GLOBAL ID：200903082154713850

半導体装置の製造方法

Inventor： 大音 光市 ,  宇佐美 達矢 ,  岸本 光司 ,  小柳 賢一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 稲垣 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998245235
Publication number (International publication number)：2000077406
Application date： Aug. 31, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置において層間絶縁膜を形成する際に、比誘電率の低い、安定な膜質の多層の層間絶縁膜を形成することが可能な方法を提供する。【解決手段】 Hを含まない無機のSi系ガスとN2を用いた高密度プラズマCVDによりSiN膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法とする。より具体的には、Fを含む層間絶縁膜6を成膜する工程と、その下地及び上地の一方又は両方に、Hを含まない無機のSi系ガスとN2を用いた高密度プラズマCVDによりSiN膜5を成膜する工程とを有し、かつ前記各工程を同一成膜室内で行う方法とする。

Claim (excerpt)：

Hを含まない無機のSi系ガスとN2を用いた高密度プラズマCVDによりSiN膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 C

F-Term (14)：

5F058AD06 ,  5F058AD11 ,  5F058AD12 ,  5F058BA20 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BD19 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• CVD法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-182127   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 誘電体膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-031960   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭57-152132