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J-GLOBAL ID：200903082204140482

欠陥検査装置および陽電子線応用装置

Inventor： 高口 雅成 ,  常田 るり子
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立ハイテクノロジーズ
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003135265
Publication number (International publication number)：2004340652
Application date： May. 14, 2003
Publication date： Dec. 02, 2004
Summary：

【課題】半導体デバイスや金属材料をはじめとする各種固体材料中の微小欠陥の位置や個数、サイズなどをナノメートルオーダの空間分解能で高速検査する。【解決手段】収束電子線装置に陽電子照射機能を搭載し、欠陥位置情報を収束電子線位置情報、欠陥の個数やサイズを電子と陽電子の対消滅で発生したγ線の検知情報から得、これら2次元分布情報をモニタ上に表示する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

電子源と、陽電子源と、試料を載置する試料ステージと、 前記電子源から放射される電子線を集束し前記試料に照射する電子線照射機構と、 前記試料上における電子線の照射位置を制御する電子線位置制御機構と、 前記陽電子源から放射される陽電子線を試料に照射する陽電子線照射機構と、 前記電子線および陽電子線の照射により前記試料から発生する電磁波を検出する検出器と、 前記電子線の照射位置の情報と前記検出器の出力信号とを同期させ画像信号を生成する制御器と、 該画像信号を表示する表示手段を備えたことを特徴とする陽電子線応用装置。

IPC (8)：

G01N23/22 ,  G01N23/225 ,  G01T1/172 ,  G21K1/00 ,  G21K5/00 ,  G21K5/04 ,  H01J37/147 ,  H01J37/28

FI (8)：

G01N23/22 ,  G01N23/225 ,  G01T1/172 ,  G21K1/00 E ,  G21K5/00 M ,  G21K5/04 W ,  H01J37/147 B ,  H01J37/28 B

F-Term (30)：

2G001AA03 ,  2G001AA05 ,  2G001BA07 ,  2G001CA02 ,  2G001CA03 ,  2G001DA02 ,  2G001DA06 ,  2G001FA06 ,  2G001FA22 ,  2G001GA01 ,  2G001GA06 ,  2G001HA07 ,  2G001HA13 ,  2G001JA02 ,  2G001JA13 ,  2G001KA03 ,  2G001LA02 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G088FF04 ,  2G088FF07 ,  2G088FF10 ,  2G088KK15 ,  2G088KK32 ,  2G088MM04 ,  5C033FF03 ,  5C033UU01 ,  5C033UU03 ,  5C033UU04 ,  5C033UU05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 陽電子を用いた材料評価装置および評価方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-300700   Applicant：科学技術振興事業団, 白井泰治, 住友金属テクノロジー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• “Micoroscopes/microprobes”