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J-GLOBAL ID：200903082235162190

単結晶製造装置

Inventor：
新谷 良智

About 新谷 良智


Applicant, Patent owner：
トヨタ自動車株式会社

About トヨタ自動車株式会社


Agent (4)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006203315
Publication number (International publication number)：2008030969
Application date： Jul. 26, 2006
Publication date： Feb. 14, 2008
Summary：
【課題】溶液法による単結晶の製造において、結晶欠陥のより少ない単結晶を製造するための単結晶製造装置を提供する。【解決手段】原料融液2が収容される坩堝1と、下端に種結晶4が保持されたシード軸3と、絶縁膜6で被覆された第1電極5と、第2電極7とを備え、種結晶4と第1電極5の下端面が揃えられ、原料融液2の液面に対して上方からシード軸3と第1電極5を一体的に下降させ、絶縁膜6が原料融液2の液面に接触して溶融したときに、第1電極5と第2電極7の間に原料融液2を介して流れる電流を検出することにより種結晶4と原料融液2の接触界面の位置を特定する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
原料融液から単結晶を製造するための単結晶製造装置であって、原料融液が収容される坩堝と、下端に種結晶が保持されたシード軸と、絶縁膜で被覆された第1電極と、第2電極とを備え、前記種結晶と前記第1電極の下端面が揃えられ、原料融液の液面に対して上方から前記シード軸と前記第1電極を一体的に下降させ、前記絶縁膜が原料融液の液面に接触して溶融したときに、前記第1電極と前記第2電極の間に原料融液を介して流れる電流を検出することにより前記種結晶と原料融液の接触界面の位置を特定することを特徴とする、単結晶製造装置。
IPC (3)：
C30B 17/00 ,  C30B 29/36 ,  H01L 21/208
FI (3)：
C30B17/00 ,  C30B29/36 A ,  H01L21/208 D
F-Term (17)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CD10 ,  4G077ED01 ,  4G077EH06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077MB14 ,  4G077MB32 ,  5F053AA03 ,  5F053AA42 ,  5F053BB04 ,  5F053DD02 ,  5F053FF05 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053RR03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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