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J-GLOBAL ID：200903082279696362

磁気記憶素子

Inventor： 香取 健二
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994178212
Publication number (International publication number)：1996045267
Application date： Jul. 29, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高密度記録化を達成し、しかも、外部磁界からの影響も少ない、新規な磁性薄膜メモリーを提供する。【構成】 非磁性基板上に、Gd-Co膜1を厚み200オングストロームとなるように成膜し、その上にSiO2 絶縁膜を1000オングストローム、その上にCo/Pt多層膜2を200オングストローム積層し、前記Co/Pt多層膜2をGd-Co膜1と交差する中央部分が幅狭となるようにパターニングし、これらCo/Pt多層膜2及びGd-Co膜1の両端には、それぞれ電極を接続して電流を流せるように構成する。

Claim (excerpt)：

磁区構造の変化により情報が記憶される垂直磁化膜を有し、記憶された情報が電気抵抗の変化として読み出されることを特徴とする磁気記憶素子。

IPC (2)：

G11C 11/15 ,  G11B 5/03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 集積回路記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-322335   Applicant：ソニー株式会社