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J-GLOBAL ID：200903082320371360

プラズマ処理装置の制御方法

Inventor：
石井 信雄

About 石井 信雄


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 亀谷 美明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993284211
Publication number (International publication number)：1995122546
Application date： Oct. 20, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：
【要約】【目的】 処理面に対するダメージの少ないプラズマ処理装置の制御方法を提供する。【構成】 本発明の第1の観点によれば、1ないし3MHz、好ましくは2ないし3MHzの周波数の比較的低い高周波エネルギをバイアスとしてかけるので、プラズマ流の加速がばらつき、被処理体の処理面に入射する活性種の加速を抑えることができるので、被処理体の処理面に対するダメージを抑えて、高い選択比と良好な形状を有するプラズマ処理、たとえばエッチングを行うことができる。また本発明の第2の観点によれば、-50°Cないし-150°Cの低温に被処理体の処理面を保持しながらたとえばエッチングなどのプラズマ処理を行うので、被処理体の処理面に対するダメージを抑えて、高い選択比と良好な形状を有するプラズマ処理、たとえばエッチングを行うことができる。
Claim (excerpt)：
処理室の外部に絶縁体を介して配置された高周波アンテナに高周波電力を印加することによりその処理室内に誘導プラズマを励起して、その処理室内に配置された被処理体に所定の処理を施すプラズマ処理装置を制御するにあたり、前記被処理体を載置する載置台に対して、1ないし3MHzの周波数のバイアス用高周波エネルギを印加することを特徴とする、プラズマ処理装置の制御方法。
IPC (7)：
H01L 21/3065 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/40 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 J
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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