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J-GLOBAL ID：200903082345254856

強誘電体容量素子

Inventor： 三原 孝士
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社 ,  シメトリックス・コーポレーション
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993235330
Publication number (International publication number)：1995093969
Application date： Sep. 22, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、強誘電体容量素子を含む集積回路を形成する工程における剥離や特性劣化を防止し、高信頼性、且つ低コストで形成できる構造を有する強誘電体容量素子を提供することを目的とする。【構成】本発明は、Si酸化物やガラス等からなる基板11の上にTi等の接着層12が形成され、その上層には、Pt,Pd,Ag,Au等のいずれかの貴金属からなる下部電極13、強誘電体膜14、導電性酸化膜15、貴金属以外のAl,Al合金、AlSi,AlNi他、Ni合金、Cu合金、AlCu等の金属材料からなる上部電極16が積層形成された強誘電体容量素子である。

Claim (excerpt)：

基板上に形成される貴金属からなる下部電極と、前記下部電極上に形成される強誘電体からなる強誘電体薄膜と、前記強誘電体膜上に形成される該強誘電体膜よりも還元能が高い導電性酸化膜と、前記酸化物導電性膜上に形成される貴金属以外の少なくとも1種類の金属材料からなる上部電極とで構成される強誘電体容量素子。

IPC (10)：

G11C 11/22 ,  C01G 1/00 ,  C01G 29/00 ZAA ,  C23C 14/08 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 39/02 ZAA

FI (2)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 非対称強誘電体コンデンサ及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-056269   Applicant：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション