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J-GLOBAL ID：200903082476474851

半導体膜形成方法及び薄膜半導体装置の製造方法

Inventor： 宮坂 光敏
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992166022
Publication number (International publication number)：1994013313
Application date： Jun. 24, 1992
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 良好なトランジスタ特性を有する薄膜半導体装置の製造方法を提供する事。【構成】 半導体膜堆積後真空中又は還元性雰囲気下で熱処理を施す。【効果】 低温工程で良好なTFTを製造出来る。

Claim (excerpt)：

少なくとも表面が絶縁性物質で有る基板上に結晶性半導体膜を形成する方法に於いて、非晶質半導体膜を形成する第一の工程と、前記非晶質半導体膜が形成された基板を真空中で熱処理する第二の工程を含む事を特徴とする半導体膜形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-025517
  
• 特開平4-297018
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-145747   Applicant：株式会社東芝