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J-GLOBAL ID：200903082476638498

荷電ビーム描画方法

Inventor： 山崎 聡 ,  原 重博 ,  馬越 俊幸 ,  服部 清司 ,  和田 寛次
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993054401
Publication number (International publication number)：1994267834
Application date： Mar. 15, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 キャラクタプロジェクション方式の利点を最大限に活用し、描画時間の短縮をはかり得る荷電ビーム描画方法を提供すること。【構成】 試料を載置したステージを連続移動しながら、該試料上に荷電ビームを照射して所望のパターンを描画する荷電ビーム描画方法において、試料上の繰り返しパターン領域をキャラクタプロジェクション方式により描画する際に、繰り返しの最小単位がそのままで最大キャラクタサイズより大きい場合には該サイズより小さくなるように最小単位を変更し、繰り返しの最小単位の形状がそのままでは物理的にアパーチャ上に形成不可能な場合は、形成可能となるように最小単位を変更した描画データを用いて描画することを特徴とする荷電ビーム描画方法。

Claim (excerpt)：

試料上に荷電ビームを照射して該試料上に所望のパターンを描画する荷電ビーム描画装置において、可変成形ビーム方式と繰り返しパターンの少なくとも最小単位となる図形の形状を電子光学系の成形アパーチャに形成しておき、繰り返しパターンの領域では該アパーチャに形成した該最小単位となる図形の形状を用いて描画するキャラクタプロジェクション方式を具備し、該最小単位の外枠の形状が矩形の場合は、そのまま該アパーチャに形成しておき、所望のパターンを描画し、該最小単位の図形の外枠の形状が矩形でない場合は、該繰り返しパターンの最小単位の外枠の形状が矩形となるように最小単位を変更し、その最小単位図形を該アパーチャに形成して、所望のパターンを描画した場合に生じる過不足分のパターンの処理を繰り返しパターンに隣接するパターンで処理するように設計したパターンデータを用いて描画することを特徴とする荷電ビーム描画方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平3-064016
  
• 荷電粒子線描画用マスク作成方法及びマスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-188787   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭62-260322
  

Cited by examiner (3)

• 特開平3-064016
  
• 荷電粒子線描画用マスク作成方法及びマスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-188787   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭62-260322