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J-GLOBAL ID：200903082501941540

半導体レーザ

Inventor： 深野 秀樹 ,  横山 清行
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 吉田 精孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995231154
Publication number (International publication number)：1997083059
Application date： Sep. 08, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 スポットサイズの大きな光導波路に対し直接突き合わせにより低損失な光結合を可能とし、しかも低コストで歩留まり良く製造し得る半導体レーザを提供すること。【解決手段】 電流注入によって発光する等幅のストライプ状の半導体活性層1と、該半導体活性層1を取り囲むように構成されたクラッド層2とを有し、前記クラッド層2の屈折率が半導体活性層1よりも小さい半導体レーザにおいて、活性層1内への光の閉じ込め係数Γを0.002〜0.05程度に設定することにより、レンズやスポットサイズ変換用の光結合デバイスを設けることなく、出射光のスポットサイズを、これと光結合する光導波路に対して低損失で結合するように拡大する。

Claim (excerpt)：

活性層の幅が一定である導波型の半導体レーザにおいて、前記活性層内への光の閉じ込め係数を0.002〜0.05程度に設定することを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 多重量子井戸半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-030830   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭59-134888
  
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-166988   Applicant：古河電気工業株式会社