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J-GLOBAL ID：200903082571835306

窒化ガリウム系化合物半導体結晶の成長方法

Inventor： 坂下 幸雄 ,  大久保 秀一 ,  十河 清二 ,  岡崎 均
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 並川 啓志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994093964
Publication number (International publication number)：1995283437
Application date： Apr. 08, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【構成】 単結晶基板上に窒化ガリウム系半導体結晶を成長させる方法において、前記単結晶基板としてタンタル酸リチウムあるいはニオブ酸リチウムを用いる。【効果】 結晶性の優れた窒化ガリウム系半導体結晶をエピタキシャル成長させることができる。

Claim (excerpt)：

単結晶基板上に窒化ガリウム系半導体結晶を成長させる方法において、前記単結晶基板としてタンタル酸リチウムあるいはニオブ酸リチウムを用いることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体結晶の成長方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-123190
  
• 特開平3-209891
  
• 特開平4-209577
  
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-135220   Applicant：旭化成工業株式会社