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J-GLOBAL ID：200903082636349692

縦型スピントランジスタ及びその製造方法

Inventor： 杉 山 直 治 ,  斉 藤 好 昭
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (5)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007058782
Publication number (International publication number)：2008226901
Application date： Mar. 08, 2007
Publication date： Sep. 25, 2008
Summary：

【課題】トランジスタ及びその製造方法に関して、新たな構造のスピントランジスタ及びその製造方法を提案すること。【解決手段】磁性体で形成された層を含んでいる第1のソースドレイン層と;前記第1のソースドレイン層上に形成されており、半導体で形成された層を含んでいる、チャネル層と、前記チャネル層上に形成されており、磁性体で形成された層を含んでいる、第2のソースドレイン層と、を含む突起構造と;前記チャネル層の側面に形成されたゲート絶縁膜と;前記ゲート絶縁膜の表面に形成されたゲート電極と;を具備することを特徴とする縦型スピントランジスタ。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

磁性体で形成された層を含んでいる第1のソースドレイン層と; 前記第1のソースドレイン層上に形成されており、 半導体で形成された層を含んでいる、 チャネル層と、 前記チャネル層上に形成されており、 磁性体で形成された層を含んでいる、 第2のソースドレイン層と、 を含む突起構造と; 前記チャネル層の側面に形成されたゲート絶縁膜と; 前記ゲート絶縁膜の表面に形成されたゲート電極と;を具備することを特徴とする縦型スピントランジスタ。

IPC (9)：

H01L 29/82 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08

FI (16)：

H01L29/82 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 616S ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626A ,  H01L29/78 301J ,  H01L29/78 301S ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301X ,  H01L29/78 654Z ,  H01L29/78 653D ,  H01L29/78 652T ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/08 331E

F-Term (79)：

4M119BB13 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119CC09 ,  4M119DD26 ,  4M119KK06 ,  4M119KK07 ,  5F048AB01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA02 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB06 ,  5F048BB11 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BC15 ,  5F048BD07 ,  5F048BD09 ,  5F048BD10 ,  5F048CB07 ,  5F048DA23 ,  5F092AC24 ,  5F092AD25 ,  5F092BD04 ,  5F092BD07 ,  5F092BD14 ,  5F092BD20 ,  5F092BD23 ,  5F092BE21 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE09 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF26 ,  5F110FF30 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110HK05 ,  5F110HM02 ,  5F110HM07 ,  5F110NN74 ,  5F140AA00 ,  5F140AB03 ,  5F140AC16 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA07 ,  5F140BA09 ,  5F140BB04 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE06 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF10 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BJ08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-172169   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (1)

• 集積された半導体デバイスを有するMRAM
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-361340   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド