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J-GLOBAL ID：200903082664525412

半導体装置の製造方法

Inventor： 今村 友美 ,  片伯部 一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996135029
Publication number (International publication number)：1997321009
Application date： May. 29, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板や絶縁基板を洗浄する場合、洗浄度が上がらなかったり、洗浄時間を要することがある。【解決手段】 少なくとも2種の処理液を順次用いて基板を洗浄する洗浄手順を連続して2回以上繰り返す。その際、1つの処理の処理時間を従来より減らす。

Claim (excerpt)：

2種以上の処理液を順次用いてウェハを洗浄する工程を連続して2回以上繰り返すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/04

FI (4)：

H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 341 S ,  B08B 3/04 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ウエハの洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-092227   Applicant：ソニー株式会社