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J-GLOBAL ID:200903082821280887
半導体素子、液晶表示用アクティブマトリクス基板及びこれらの製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999080726
Publication number (International publication number):1999340417
Application date: Mar. 25, 1999
Publication date: Dec. 10, 1999
Summary:
【要約】【課題】 シリコン基板上に形成される従来の半導体素子とは異なり、プラスチック等の絶縁基板上に載置することで半導体素子として機能するトランジスタ素子を提供する。【解決手段】 チャネル領域403を介して形成されたドレイン領域402とソース領域401を備えるシリコン粒100Aと、シリコン粒100Aの表面を覆う酸化膜101と、酸化膜101を介してチャネル領域402の上部に形成されるゲート電極300Aと、ドレイン領域402に電気的接続するドレイン電極200Aと、ソース領域401に電気的接続するソース電極400Aと、を備える。
Claim (excerpt):
微小シリコンバルクの複数を絶縁基板上に所定ピッチ毎にアレイ状に固定し、かつ、このそれぞれの微小シリコンバルクに電極パターンを形成してなる半導体素子。
IPC (7):
H01L 27/00 301
, G02F 1/136 500
, G09F 9/30 316
, H01L 27/12
, H01L 27/146
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (6):
H01L 27/00 301 Z
, G02F 1/136 500
, G09F 9/30 316 Z
, H01L 27/12 Z
, H01L 27/14 A
, H01L 29/78 618 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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球状結晶の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-302799
Applicant:中田仗祐
-
球状結晶の製造方法および球状結晶アレイ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-284499
Applicant:中田仗祐
-
軽量基板薄膜半導体装置および液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-268668
Applicant:株式会社日立製作所
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