Pat
J-GLOBAL ID：200903082828842104

横型半導体装置およびその使用方法

Inventor：
藤島 直人

About 藤島 直人


Applicant, Patent owner：
富士電機株式会社

About 富士電機株式会社


Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995186772
Publication number (International publication number)：1996130312
Application date： Jul. 24, 1995
Publication date： May. 21, 1996
Summary：
【要約】【課題】パワーICに集積されたIGBT、トランジスタ、サイリスタ等のターンオフ時間を短縮し、スイッチング損失を低減する【解決手段】p型基板上のnエピタキシャル層またはp型基板の表面層に形成したnウェル領域内にpウェル領域を設けその中にnチャネル型IGBTを形成し、そのIGBTのコレクタ電極とnエピタキシャル層またはnウェル領域表面上に設けたアノード電極を接続し、寄生pnpトランジスタの生成を防止する。これにより、p型基板やpアイソレーションに、正孔が注入されることがなく、蓄積キャリアが減少するので、スイッチング時間が短縮される。
Claim (excerpt)：
第一導電型半導体層上の第二導電型半導体領域の表面層の一部に形成された第一導電型ウェル領域内およびその上部に、第一、第二の主電極および制御電極をもつ半導体素子を有することを特徴とする横型半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/744 ,  H01L 29/74
FI (5)：
H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/74 C ,  H01L 29/74 N ,  H01L 29/78 301 W ,  H01L 29/78 655 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-316079   Applicant：ソニー株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-122182   Applicant：富士通株式会社
  • 特開平2-030187
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM