半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993094251
Publication number (International publication number)：1994310606
Application date： Apr. 21, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】埋め込みコンタクトのプラグの密着性を高め、コンタクト抵抗を低減し、製造プロセスの信頼性を向上させる。【構成】 Al上層配線層4aをマスクとし、その開口部5内に表出する層間絶縁膜1をエッチングしてビアホール7を形成した後、ウェハの全面にTiN密着層8、続いてBlk-W層9を成膜する。さらに、Blk-W層9をエッチバックしてWプラグ9pを形成し、最後にTiN密着層8とAl上層配線層4aを同時にパターニングする。深いビアホール7内でプラグの密着性が向上し、またTiN密着層8がAl上層配線層4aの上表面へ延在されているので、コンタクト抵抗も低減される。プロセス中、TiN密着層8a単独のエッチバックが不要となるので、プラグの浸食が生じない。密着層を用いずに、Blk-W層の一部を延在させても良い。

Claim (excerpt)：

上層配線層と層間絶縁膜との厚さ方向にわたって開口され下層配線層に臨む接続孔を有し、この接続孔の内部に埋め込まれるプラグ材料層の少なくとも一部が前記上層配線層の上表面へ延在されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/90 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平1-264239
特開昭55-019880
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-167119 Applicant：三洋電機株式会社

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