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J-GLOBAL ID：200903082934673087

半導体受発光装置

Inventor：
松田 賢一

About 松田 賢一


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996004552
Publication number (International publication number)：1997199795
Application date： Jan. 16, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：
【要約】【課題】 面発光レーザと、面発光レーザからの出力光をモニターする受光素子を同一パッケージに実装あるいは同一基板上に集積する。【解決手段】 GaAsよりなる第2の半導体基板104がp型Siよりなる第1の半導体基板101上に固定されている。第2の半導体基板104上には、p型AlAsとp型GaAsの交互積層多層膜よりなる下部反射器107、InGaAs井戸層がGaAs障壁層に挟まれた構成の活性層108、n型AlAsとn型GaAsの交互積層多層膜よりなる上部反射器109が積層され、面発光レーザ110を構成している。第1の半導体基板101上には、低濃度p型Siよりなるエピ層111とn型不純物を拡散した拡散層112が形成され、受光素子113を構成している。面発光レーザ110から第1の出力光114が出射され、光ファイバ115のコア116に入射する。また、面発光レーザ110から第2の出力光117が出射され、受光素子113に入射する。
Claim (excerpt)：
第1主面および第2主面を有する第1の半導体基板と、第3主面および第4主面を有し、前記第1主面に前記第3主面が接するように前記第1の半導体基板上に固定された第2の半導体基板と、前記第3主面上に形成された面発光レーザと、前記面発光レーザに対向して前記第1主面上に形成された受光素子と、前記面発光レーザから前記第4主面を横切って出射される第1の出力光と、前記面発光レーザから出射され前記受光素子に入射する第2の出力光とを有することを特徴とする半導体受発光装置。
IPC (3)：
H01S 3/18 ,  H01L 31/12 ,  H01L 33/00
FI (4)：
H01S 3/18 ,  H01L 31/12 A ,  H01L 31/12 H ,  H01L 33/00 M
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
  • 受発光一体型光半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-149990   Applicant：松下電子工業株式会社
  • 特開昭61-108186
  • 特開昭63-287084
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