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J-GLOBAL ID：200903082959410501

レーザーアブレーションによる6H-SiCの製造法

Inventor： 小林 融弘 ,  美田 佳三
Applicant, Patent owner： 大阪大学長
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996231989
Publication number (International publication number)：1998081598
Application date： Sep. 02, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体レーザー等の光デバイス素子材料として使用するためには、異なったポリタイプが混在しないことが必要である。さらに、これまでの製造法はいづれも結晶成長を行うのに、長い時間を必要とする。瞬間的な合成法がこれまで待ち望まれてきた。【解決手段】 本発明は強いパルスレーザー光をシリコン基板と有機溶媒との界面に集光することにより瞬間的に高温・高圧を発生させ、単発のパルスレーザー光照射によって瞬間的に6H-SiCのナノクリスタル集合体を短い結晶成長時間で合成することを特徴とするレーザーアブレーションによる6H-SiCの製造法にある。

Claim (excerpt)：

強いパルスレーザー光をシリコン基板と有機溶媒との界面に集光することにより瞬間的な高温・高圧を発生させ、単発のパルスレーザー光照射によって瞬間的に6H-SiCのナノクリスタル集合体を短い結晶成長時間で合成することを特徴とするレーザーアブレーションによる6H-SiCの製造法。

IPC (5)：

C30B 29/36 ,  C01B 31/36 ,  C23C 14/28 ,  C30B 30/00 ,  H01S 3/18

FI (5)：

C30B 29/36 A ,  C01B 31/36 A ,  C23C 14/28 ,  C30B 30/00 ,  H01S 3/18