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J-GLOBAL ID:200903082983555413

赤外線放射素子、ガスセンサ、及び赤外線放射素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005245379
Publication number (International publication number):2007057456
Application date: Aug. 26, 2005
Publication date: Mar. 08, 2007
Summary:
【課題】 ガスセンサ等に利用される赤外線放射素子を改良するものであり、応答速度の早い赤外線放射素子の開発を課題とする。【解決手段】 発熱体層4へ通電して発熱させることにより発熱体層4から赤外線が放射される赤外線放射素子Aである。赤外線放射素子Aでは、支持基板(半導体基板)1の厚み方向の一表面(図1における上面)側に主断熱層2が形成されている。この主断熱層2は、支持基板1の一部を多孔質化したものであり、支持基板1の主要部(主断熱層2以外の部位)よりも熱伝導率が十分に小さい。主断熱層2の上に発熱体層4が積層されている。発熱体層4上に通電用の一対のパッド(電極)6,6が形成されている。支持基板1の表面側であって各パッド6,6それぞれと支持基板1との間に空隙層8が設けられている。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
支持基板を有し、前記支持基板の表面側に、前記支持基板の主要部よりも熱伝導率の小さな多孔質層からなる主断熱層が形成され、さらに発熱体層が主断熱層の表面側の位置に形成されると共に発熱体層の表面側に一対のパッドが形成されており、前記支持基板の前記表面側であって各パッドそれぞれと重複する部位に、前記主断熱層の中央部に比べて機械的強度が高い高強度構造部を有する赤外線放射素子であって、前記パッドと支持基板との間に空隙層を有することを特徴とする赤外線放射素子。
IPC (2):
G01N 21/01 ,  G01N 21/35
FI (2):
G01N21/01 D ,  G01N21/35 Z
F-Term (10):
2G059AA01 ,  2G059BB01 ,  2G059CC04 ,  2G059CC05 ,  2G059CC13 ,  2G059EE01 ,  2G059GG10 ,  2G059HH01 ,  2G059JJ02 ,  2G059KK01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)

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