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J-GLOBAL ID：200903083004475435
圧電薄膜共振子、フィルタおよび電子機器
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡田 全啓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000262839
Publication number (International publication number)：2002076824
Application date： Aug. 31, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：
【要約】【課題】 良好な共振特性および良好な共振周波数の温度特性を有し、素子の割れなどによる不良が少ない圧電薄膜共振子を提供する。【解決手段】 圧電薄膜共振子10はSi基板12を含む。Si基板12の上には、薄膜としてのAlNを主成分とするAlN圧電薄膜14、下層電極16a、圧電薄膜としてのAlNを主成分とするAlN圧電薄膜18および上層電極16bが、その順番に形成される。Si基板12には、AlN圧電薄膜14の中央部に対応する部分に、空洞20が形成される。
Claim (excerpt)：
空洞を有する基板、前記基板上に形成される薄膜、前記薄膜上に形成される下層電極、前記下層電極上に形成される圧電薄膜、および前記圧電薄膜上に形成される上層電極を含む圧電薄膜共振子において、前記薄膜および前記圧電薄膜を同一の材料または同一の主成分を有する材料で形成したことを特徴とする、圧電薄膜共振子。
IPC (2)：
FI (2)：
H03H 9/17 F
, H03H 3/02 B
5J108AA04
, 5J108CC01
, 5J108EE13
, 5J108FF01
, 5J108FF03
, 5J108KK01
, 5J108KK02
, 5J108MM11
, 5J108MM14
