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J-GLOBAL ID：200903083054380770

低温オゾン・プラズマ・アニールによる酸化タンタル薄膜製造方法

Inventor： ダン・カール ,  デーヴィッド・マーク・ドブジンスキ ,  ソン・ヴァン・グエン ,  トゥエ・グエン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995189618
Publication number (International publication number)：1996069998
Application date： Jul. 25, 1995
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高誘電率Ta2O5薄膜の特性を改善する処理方法を提供する。【構成】 高誘電率Ta2O5薄膜の低温アニール(酸化)方法として、オゾン強化プラズマを用いる。製造された薄膜は、特に64Mビットないし256MビットのDRAM応用例に適用可能である。Ta2O5薄膜のオゾン強化プラズマ・アニール工程では、工程温度が400°Cと低く、しかも、膜の品質としては、低い漏電と高い絶縁破壊が達成され、製造されたTa2O5膜は超大規模集積回路(ULSI)応用例(スタック・コンデンサ構造の、64Mビットおよび256MビットのDRAM用蓄積誘電体など)により好適なものとなる。この低温工程は、他に多くの応用例が可能な他の高誘電率薄膜および圧電性薄膜に拡張可能である。

Claim (excerpt)：

p型またはn型シリコン基板を急速熱窒化させる段階と、低圧化学蒸着(LPCVD)によって上記窒化基板上にTa2O5薄膜を付着させる段階と、上記Ta2O5膜を低温のオゾンおよび酸素プラズマでアニールする段階とを含む、高誘電率Ta2O5薄膜を製造する方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  C30B 29/16 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/10 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-302472   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法及びその製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-149982   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-210787   Applicant：日本電気株式会社
• 酸化タンタル薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-212471   Applicant：松下電器産業株式会社