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J-GLOBAL ID：200903083083012283
プラズマプロセス装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992254939
Publication number (International publication number)：1994112161
Application date： Sep. 24, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 マイクロ波の分布を周辺部局在となるようにして、プラズマ分布を平坦にし成膜の均一化を図る【構成】 矩形導波管10とテーパ導波管13とは同軸導波管変換器12によって接続され、またテーパ導波管3の外側には磁場コイル14が、内側にはテーパ状をした同軸ホーンアンテナ15が配設されている。同軸ホーンアンテナ15はテーパ導波管13と同軸状に配設され、その同軸ホーンアンテナ15の一端は同軸導波管変換器12の内導体とつながっている。このような構成において、マイクロ波は矩形導波管10内をTE11モードで伝わり、同軸導波管変換器12で同軸TEMモードに変換されて、そのままプラズマ生成室まで伝わるため、プラズマ17はドーナツ状となり、基板18上に均一の成膜を形成することができる。
Claim (excerpt)：
放電ガスが導入されプラズマが生成されるプラズマ生成室と、該プラズマ生成室に磁場を発生する磁場発生手段と、前記プラズマ生成室にマイクロ波を導入する導波管とを備え、前記マイクロ波と磁場との共鳴作用により前記プラズマ生成室内に生成するプラズマを用いて、該プラズマ生成室内に設置された試料の処理を行うプラズマプロセス装置において、前記導波管内に筒状の金属製導体を該導波管と同軸状に設置するとともに、前記マイクロ波のモードを直線偏波モードから同軸TEMモードに変換する同軸導波管変換器を前記金属製導体の入口側端部に設けたことを特徴とするプラズマプロセス装置。
IPC (6)：
H01L 21/302
, C23C 14/22
, H05H 1/46
, G01N 24/14
, G01R 33/64
, H01L 21/31
Cited by examiner (1)
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電子サイクロトロン共鳴装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-160599
Applicant：株式会社神戸製鋼所
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