半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000204669
Publication number (International publication number)：2002026039
Application date： Jul. 06, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】ウエハを薄型化すると、製造工程においてウエハが割れることがあり、コストアップになっていた。【解決手段】ウエハ1の表面にバックグラインド用保護テープ2を貼り付けてバックグラインド処理をした後、バックグラインド用保護テープ2を貼り付けた状態でウエハ1の裏面にダイスボンド用テープ状接着剤6を貼り付け、その後、バックグラインド用保護テープ2を剥し、プロービングし、ダイスボンド用テープ状接着剤6にダイシング用保護テープ3を貼り付け、ダイシングした後、ピックアップツール5でダイスボンド用テープ状接着剤6の付いた半導体素子11をピックアップし、ダイスボンド用テープ状接着剤6を利用してダイスボンドするようにした。

Claim (excerpt)：

半導体素子を複数個形成したウエハを準備する工程と、前記ウエハの表面にバックグラインド用保護テープを貼り付ける工程と、前記ウエハの裏面をバックグラインド処理する工程と、バックグラインド処理した前記ウエハの裏面にダイスボンド用テープ状接着剤を貼り付ける工程と、前記バックグラインド用保護テープを剥す工程と、前記ウエハをプロービングする工程と、前記ダイスボンド用テープ状接着剤にダイシング用保護テープを貼り付ける工程と、前記ウエハ、ダイスボンド用テープ状接着剤及びダイシング用保護テープの一部を個別の半導体素子のサイズにダイシングする工程と、前記ダイシング用保護テープから、前記ダイスボンド用テープ状接着剤が貼り付いた前記個別の半導体素子を分離する工程と、分離した前記半導体素子を前記ダイスボンド用テープ状接着剤を利用してダイスボンドする工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/52 , H01L 21/304 631 , H01L 21/301

FI (3)：

H01L 21/52 C , H01L 21/304 631 , H01L 21/78 Q

F-Term (3)：

5F047BA21 , 5F047BB03 , 5F047BB19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-007156 Applicant：ソニー株式会社

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