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J-GLOBAL ID：200903083135516846
シリコンウェーハ及びその製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
杉村 憲司
, 来間 清志
, 高梨 玲子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008096053
Publication number (International publication number)：2009252822
Application date： Apr. 02, 2008
Publication date： Oct. 29, 2009
Summary：
【課題】デバイス構造を形成した半導体デバイスプロセスの後工程において、所定の表面処理を施して、ゲッタリングシンク層を設けることにより、良好な抗折強度を維持しつつ、シリコンウェーハ裏面からデバイス活性領域への重金属の拡散を有効に抑制することができる、シリコンウェーハ及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】裏面研削工程の粗研削として、♯320〜♯2000の研削砥石を用いてウェーハの厚さを120μm程度まで研削した後、♯8000〜♯24000の研削砥石を用いて仕上げ研削を行う。裏面研削後、加工変質層を化学機械研磨法又は乾式研磨法により研磨する。その際、加工変質層の膜厚が100nm以下になることが好ましい。以上の研削及び研磨により、シリコンウェーハ裏面に残存している加工変質層が、良好な抗折強度をもつゲッタリングシンク層として形成させる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
デバイス構造が形成されたシリコンウェーハの裏面に、良好な抗折強度をもつゲッタリングシンク層を設けるように所定の表面処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/322
, H01L 21/304
, B24B 7/22
H01L21/322 M
, H01L21/304 621B
, H01L21/304 631
, B24B7/22 Z
3C043BA03
, 3C043BA09
, 3C043BA11
, 3C043BB03
, 3C043CC04
, 3C043CC12
