III族窒化物半導体結晶の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその半導体発光素子を用いた光源

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：福田賢三 , 福田伸一 , 福田武通
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002521342
Publication number (International publication number)：2004507106
Application date： Aug. 17, 2001
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：

基板上に簡素化された方法で高品質のIII族窒化物半導体結晶を成長することを可能とする。窒素源を含まない雰囲気中で、金属原料を用いて、基板上にIII族金属の微粒子を堆積する工程と、金属原料を含まず窒素源を含む雰囲気中において、該金属微粒子を窒化する工程と、前記金属微粒子を堆積した基板上に、III族窒化物半導体結晶を成長させる工程とにより、III族窒化物半導体結晶の薄膜を製造する。

Claim (excerpt)：

基板表面にIII族金属の微粒子を堆積させる第1の工程と、その後窒素源を含む雰囲気中で該微粒子を窒化する第2の工程と、その後該微粒子を堆積させた基板表面上に気相成長法によりIII族窒化物半導体(III族窒化物半導体はInxGayAlzNで表され、但しx+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)結晶を形成する第3の工程とを具備するIII族窒化物半導体結晶の製造方法。

IPC (5)：

H01L21/205 , C30B25/04 , C30B29/38 , H01L33/00 , H01S5/323

FI (5)：

H01L21/205 , C30B25/04 , C30B29/38 D , H01L33/00 C , H01S5/323 610

F-Term (46)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077DB08 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE05 , 4G077EE07 , 4G077HA02 , 4G077TB05 , 4G077TC12 , 5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041AA42 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA77 , 5F045AA04 , 5F045AA18 , 5F045AA19 , 5F045AA20 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045HA06 , 5F045HA21 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB08 , 5F073DA05 , 5F073DA35 , 5F073EA28 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-292320 Applicant：松下電子工業株式会社
位置制御された液滴エピタキシーによる窒化物半導体の量子ドットの形成方法、量子コンピュータにおける量子ビット素子構造および量子相関ゲート素子構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-124378 Applicant：理化学研究所
窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-080410 Applicant：ソニー株式会社

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