タンタル系高誘電体材料及び高誘電体膜の形成方法並びに半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994072504
Publication number (International publication number)：1995263442
Application date： Mar. 17, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】Ta2O5よりも一層高い比誘電率を有するタンタル系高誘電体材料、及びリーク電流特性や耐圧特性を一層改善することができるタンタル系高誘電体膜の形成方法を提供する。【構成】タンタル系高誘電体材料は、TaXOYNZの形態を有し、X,Y及びZが以下の関係を満たすことを特徴とする。X+Y+Z=10.1≦Z≦0.6250≦Y≦0.6但し、X≧0.4Y+0.6Z高誘電体膜の形成方法は、CpmTa(N3)n(ここで、Cpはシクロペンタンであり、m+n=5である)を原料として、TaXOYNZの形態を有しそしてX,Y及びZが上述の関係を満たすタンタル系高誘電体材料から成る高誘電体膜を、CVD法にて基体上に成膜する。

Claim (excerpt)：

TaXOYNZの形態を有し、X,Y及びZが以下の関係を満たすことを特徴とするタンタル系高誘電体材料。X+Y+Z=10.1≦Z≦0.6250≦Y≦0.6但し、X≧0.4Y+0.6Z

IPC (8)：

H01L 21/316 , C01G 35/00 , C23C 16/32 , C23C 16/40 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (2)：

H01L 27/04 C , H01L 27/10 325 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体記憶装置のキヤパシタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-197240 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-332239 Applicant：三菱電機株式会社
特開昭63-126264

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