非極性(Al、B、In、Ga)N量子井戸

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：清水守 , 山本秀策 , 安村高明 , 森下夏樹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2005512863
Publication number (International publication number)：2007524983
Application date： Dec. 11, 2003
Publication date： Aug. 30, 2007
Summary：

非極性a面GaN/(A1、B、In、Ga)N多重量子井戸(MQW)を製造する方法。a面MQWは、有機金属化学気相成長法(MOCVD)によって適切なGaN/サファイアテンプレート層上に成長し、井戸幅は20Å〜70Åの範囲である。a面MQWからの室温光ルミネセンス(PL)放射エネルギーは、自己無頓着ポアソン-シュレディンガー(SCPS)計算を使用してモデリングされた正方井戸傾向を伴った。最適PL放射強度は、a面MQWについて52Åの量子井戸幅で得られる。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体デバイスを形成する方法であって、以下: (a)1以上の窒化ガリウム(GaN)層を基板上に成長させる工程;および (b)1以上の非極性(Al、B、In、Ga)N層を、該GaN層上に成長させ、幅が約20Å〜約70Åの範囲の少なくとも1つの量子井戸を形成する工程、を包含する方法。

IPC (3)：

H01L 29/06 , H01L 21/20 , H01L 21/205

FI (3)：

H01L29/06 601W , H01L21/20 , H01L21/205

F-Term (26)：

5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AA08 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F152LL03 , 5F152LL04 , 5F152LL05 , 5F152LL09 , 5F152LL13 , 5F152LM08 , 5F152LN17 , 5F152MM16 , 5F152MM18 , 5F152NN03 , 5F152NN04 , 5F152NN05 , 5F152NN09 , 5F152NN12 , 5F152NN13 , 5F152NN27 , 5F152NP09 , 5F152NP27 , 5F152NQ09 , 5F152NQ17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

金属・有機化学気相成長によって成長した非極性a平面窒化ガリウム薄膜
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-586402 Applicant：ザリージェントオブザユニバーシティオブカリフォルニア

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