金属・有機化学気相成長によって成長した非極性a平面窒化ガリウム薄膜

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山本秀策 , 安村高明 , 森下夏樹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003586402
Publication number (International publication number)：2005522889
Application date： Apr. 15, 2003
Publication date： Jul. 28, 2005
Summary：

平坦な表面を有する非極性(1120)a平面の窒化ガリウム(GaN)フィルムが、非極性(1120)a平面GaN薄膜の高温成長の前に、低温核生成層を緩衝層として使用することによって、(1102)r平面サファイア基板上で成長される。本発明は、デバイス品質の、非極性のa平面GaN薄膜を、MOCVDを介して、r平面サファイア基板上で成長させるための方法を記載する。本発明は、分極により誘導される効果のない、窒化物ベースのデバイスのための経路を提供する。なぜなら、非極性のa平面GaN薄膜の成長方向は、極性のc軸に対して垂直であるからである。分極により誘導される電場は、存在する場合、非極性のa平面GaN薄膜上で成長する(Al,B,In,Ga)Nデバイス層に対して、最小の影響を有する。

Claim (excerpt)：

非極性のa平面窒化ガリウム薄膜を、r平面基板上で、金属・有機化学気相成長によって成長させる方法であって、以下の工程: (a)該基板をアニールする工程; (b)窒化物ベースの核生成層を、該基板上に堆積させる工程; (c)該非極性のa平面窒化ガリウムフィルムを、該核生成層上で成長させる工程;および (d)窒素の過剰圧力下で、該非極性のa平面窒化ガリウムフィルムを冷却する工程、を包含する、方法。

IPC (2)：

H01L21/205 , C30B29/38

FI (2)：

H01L21/205 , C30B29/38 D

F-Term (17)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077EF03 , 4G077HA02 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045CA02 , 5F045CA07 , 5F045CA09 , 5F045DA67 , 5F045EE12 , 5F045EJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-003233
p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-190029 Applicant：松下電器産業株式会社
p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-357046 Applicant：日亜化学工業株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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