半導体集積回路

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田澤博昭 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997046799
Publication number (International publication number)：1998242763
Application date： Feb. 28, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】接合形バイポーラトランジスタ6a〜6fあるいはMOSFETを用いた差動対を多段で用いるため、低電流および低電圧で動作できないという課題があった。また、バイアス回路が必要となるため、回路の小型化が困難であるという課題があった。【解決手段】シリコンチップ1上にBiCMOSプロセスを用いて、接合形バイポーラトランジスタを用いた増幅器2とショットキーダイオードを用いたミクサ3を構成するものである。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上にBiCMOSプロセスを用いて集積化されたショットキーダイオードを含む第1の高周波回路と、上記シリコン基板上にBiCMOSプロセスを用いて集積化され、且つ上記第1の高周波回路に接続された接合形バイポーラトランジスタおよびMOSFETのうちの少なくともいずれか一方を含む第2の高周波回路とを備えた半導体集積回路。

IPC (7)：

H03D 7/02 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8249 , H01L 27/06 , H01P 5/18 , H03F 3/60

FI (5)：

H03D 7/02 Z , H01P 5/18 J , H03F 3/60 , H01L 27/04 H , H01L 27/06 321 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭62-110306
半導体装置及びその製造方法あるいはその半導体装置を使用した電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-215615 Applicant：セイコー電子工業株式会社
特開昭62-110306

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