表面粗さを減少させるための半導体ウエハの粗研磨法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995119609
Publication number (International publication number)：1995314324
Application date： May. 18, 1995
Publication date： Dec. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体ウエハの表面粗さを減少させるためのウエハの粗研磨方法を提供する。【構成】ウエハの仕上研磨前に、ウエハの表面の粗さを減少させるために半導体ウエハを粗研磨する方法であって、研磨溶液を研磨物質に適用し;ウエハの低周波表面粗さを減少させるために、ウエハを研磨物質に相対的に動かしながら、研磨物質および研磨溶液をウエハの表面と接触させ;第2研磨溶液を研磨物質に適用し;低周波表面粗さをさらに減少させるために、ウエハを研磨物質に相対的に動かしながら、研磨物質および第2研磨溶液をウエハの表面と接触させる;工程から成り、粗研磨された後に光学干渉計を用いて1mm×1mmの走査で測定したときにウエハが1.0nm Ra以下の平均表面粗さを持つ、粗研磨方法。

Claim (excerpt)：

ウエハの仕上研磨前に、ウエハの表面の粗さを減少させるために半導体ウエハを粗研磨する方法であって、(a)研磨溶液を研磨物質に適用し;(b)ウエハの低周波表面粗さを減少させるために、ウエハを研磨物質に相対的に動かしながら、研磨物質および研磨溶液をウエハの表面と接触させ;(c)第2研磨溶液を研磨物質に適用し;(d)低周波表面粗さをさらに減少させるために、ウエハを研磨物質に相対的に動かしながら、研磨物質および第2研磨溶液をウエハの表面と接触させる;工程から成り、粗研磨された後に光学干渉計を用いて1mm×1mmの走査で測定したときにウエハが1.0nm Ra以下の平均表面粗さを持つ、粗研磨方法。

IPC (2)：

B24B 37/00 , H01L 21/304 321

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平4-313224
特開平2-275629
特開平3-086468

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